《表1 减薄和未减薄SiC肖特基二极管其他电学特性对比》

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《SiC减薄工艺及薄片SiC肖特基二极管的制备》

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为更加全面地评估薄片SiC肖特基二极管的性能，对减薄和未减薄SiC肖特基二极管进行封装，并对雪崩电流和肖特基结电容等特性进行了对比。封装形式为TO220AC，对比结果如表1所示。表1中，雪崩电流和肖特基结电容分别是在电感为5 mH和VR为400 V的条件下进行测试的。两种SiC肖特基二极管的雪崩电流和肖特基结电容基本一致，说明减薄和激光退火工艺未影响SiC肖特基二极管的其他电学性能。