《表1 不同CuS层数器件和3层CuS不同扫描方向器件参数》

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《自组装制备硫化铜空穴传输层用于钙钛矿太阳能电池》

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图3a为不同CuS层数制备钙钛矿太阳能电池J-V特性曲线，器件参数见表1。从图3a看出，没有CuS空穴传输层时器件开路电压（VOC）很低，短路电流密度（JSC）也很低，这可能是由于没有CuS空穴传输层导致钙钛矿层与ITO电极之间能量损耗较大，所以VOC和JSC很低。而当沉积一层CuS空穴传输层后器件的VOC开始升高，从原来的0.73 V升高到0.96 V，然而可能由于单层空穴传输层无法完全覆盖ITO表面，所以VOC并没有达到最大值。当沉积3层或5层CuS后器件的VOC基本保持不变，所以可以认为3层CuS已经能够完全覆盖钙钛矿表面。然而沉积5层CuS后器件的FF出现了下降，这可能是由于太多CuS沉积导致CuS薄膜变得粗糙，从而使随后旋涂制备的钙钛矿薄膜变得不平整，导致器件FF下降。最终得出最优器件的CuS沉积层数为3层，此时器件取得了14.97%的光电转换效率（PCE），此时VOC为1.04 V，JSC为19.55 mA/cm2，FF为73.25%。