《表1 不同器件的器件器件性能参数汇总》

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《电化学聚合薄膜作为隔离层用于提高有机电致发光二极管的性能》

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注：a Vturn-on是指发光亮度为1 cd/m2时的电压。

之前的工作中，我们引入AuNPs对ITO电极表面进行修饰，获得形貌平整致密，发光均匀的高质量电聚合发光薄膜，但并未详细研究AuNPs对发光器件性能的影响。为了研究AuNPs对器件性能的影响，我们分别制备了两种器件，器件D0（结构为：ITO/EP-OCBzC(～100 nm）/PFN（10～20 nm）/CsF（1 nm）/Al（100 nm）)和器件D1（结构为：ITO/AuNPs(1.5 nm）/EP-OCBzC（～100nm）/PFN（10～20 nm）/CsF（1 nm）/Al（100 nm）)，其中PFN为电子注入层[15]。图2为器件D0和D1的电流密度-发光亮度-电压曲线，发光效率-电流密度曲线，电致发光（Electroluminescence，EL）光谱，从图中可以看到，相比于器件D0，引入AuNPs修饰层的器件D1发光亮度（Luminance，L）以及发光效率（Luminous Efficiency，LE）明显下降，对器件的发光光谱几乎没有影响，最大发射峰位均为564 nm。器件的性能参数汇总见表1。上述结果表明，AuNPs对发光器件并未起到提升效果，反而严重降低了器件的性能，其主要原因是AuNPs与发光层直接接触，对发光层的荧光产生淬灭效应，使得发光层中的部分发光物质不发光[16]。