《表1 材料厚度及电学参数》

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《玻璃基RDL传输线的特征阻抗与损耗研究》

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通过化镀在500μm厚、12英寸玻璃晶圆的一面上生长Ti/Cu种子层。然后，在种子层上涂布光阻层，经过曝光显影，在光阻层特定区域进行开窗，露出种子层。接下来，通过电镀在露出的种子层上生长RDL铜层，铜层厚度5μm。去除光阻层和多余种子层。接着，在玻璃晶圆上涂布PI胶层，PI层厚度8μm。在PI层上的特定区域进行曝光显影，露出RDL层。最后，在露出的RDL层上化镀生长镍/金层，厚度3μm/0.05μm。工艺流程如图1所示。材料厚度和电学参数如表1所示。最终完成的玻璃晶圆如图2所示。晶圆上有用于研究的各种尺寸RDL布线，其中的几种RDL布线样式如图3所示。