《表1 光敏玻璃与硅衬底材料的典型电学参数对比Tab.1 Typical electrics parameters of photosensitive glass and silicon》

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《基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究》


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与TSV相比，TGV中采用的玻璃材料具有优良的高频电学性能.通过在HFSS三维电磁场仿真软件中建立地-信号-地（ground-signal-ground，GSG）物理模型，地TGV与信号TGV采用相同的几何结构，并获得了其在0~40GHz的高频传输特性曲线.为了突出TGV优良的传输特性，仿真中对比了相同结构下TSV的传输特性.图2所示为单个TGV和TSV的几何结构剖面图，结构的主要几何参数设置如下:通孔直径为50μm，TGV/TSV高度为200μm，GS间距为100μm，TSV中氧化层的厚度为0.5μm.光敏玻璃材料与普通硅衬底材料的典型电学参数采用表1中所示的参数.

图表编号XD002900500    严禁用于非法目的
绘制时间2018.01.01
作者林来存、王启东、邱德龙、伍恒、薛恺、于大全、曹立强
绘制单位中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、中国科学院微电子研究所
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