《表3 工艺改进后尾部晶片电学参数测试结果Tab.3 Test results of electrical parameters of the tail wa-》

《表3 工艺改进后尾部晶片电学参数测试结果Tab.3 Test results of electrical parameters of the tail wa-》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

表3给出了工艺改进后,尾部单晶片电阻率不均匀性测试结果。不难看出,工艺改进后,晶体尾部电阻率及其均匀性都有了明显的改善和提升。