《表3 工艺改进后尾部晶片电学参数测试结果Tab.3 Test results of electrical parameters of the tail wa-》
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《VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究》
表3给出了工艺改进后,尾部单晶片电阻率不均匀性测试结果。不难看出,工艺改进后,晶体尾部电阻率及其均匀性都有了明显的改善和提升。
图表编号 | XD0042674900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.01 |
作者 | 边义午 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
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