《表1 工艺改进前后成晶率和成品率的对比Tab.1 Comparison of crystallization rate and final prod-》

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《VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究》

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表1给出了工艺改进前后成晶率和成品率的开炉对比，2018年4 in SI-Ga As共开炉84炉，单晶49颗，其中有27颗头尾电阻率均在108Ω·cm的量级，占单晶总数的55.1%，相比于2017年的49.3%提高了近6个百分点。