《表2 工艺改进前后单晶长度对比Tab.2 Comparison of single crystal length rate before and after process improvement》

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《VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究》


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表2给出了工艺改进前后单晶长度的对比，对比结果不难看出工艺的改进使得单晶平均长度比上一年增加了13 mm。

图表编号XD0042675000    严禁用于非法目的
绘制时间2019.02.01
作者边义午
绘制单位中国电子科技集团公司第四十六研究所
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