《表2 2K SRAM器件内不同离子有效LET值测量结果》
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该SRAM计算结果表明:当覆盖层厚度（等效Si厚度）为12μm时，线性关系较好，如图6所示.而器件实际覆盖层硅等效层厚度为11.5μm，二者基本一致.分别计算Si、Cu、Br离子在器件内的有效LET值，并利用这三种离子对线性关系进行刻度，然后算出I离子有效LET值，结果如表2所示.
| 图表编号 | XD0017157200 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.10.01 |
| 作者 | 史淑廷、郭刚、刘建成、蔡莉、陈泉、沈东军、惠宁、张艳文、覃英参、韩金华、陈启明、张付强、殷倩、肖舒颜 |
| 绘制单位 | 中国原子能科学研究院核物理所国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国原子能科学研究院核物理所国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国原子能科学研究院核物理所国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国原子能科学研究院核物理所国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国原子能科学研究院核物理所国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国原子能科学研究院核物理所国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国原子能科学研究院核物理所国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国原子能科学研究院核物理所国防科技工业抗辐照应用技术创新中心 |
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