《表1 n+p型PN结内实验测试结果》

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《半导体器件内离子有效LET值测量方法研究》


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所用离子及测试结果如表1所示.因穿过相同厚度靶材料时,较轻离子损失能量较少,LET值变化较少,因此通常采用较轻离子对线性关系进行刻度,进而求出较重离子有效LET值.