《表1 试验用重离子能量及其LET值》

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《基于全物理模型的模块级SRAM的SEU仿真方法》

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在真空辐照环境中，用重离子加速器产生的粒子对实验样品芯片进行单粒子效应试验，获取目标器件的单粒子翻转效应敏感性。在重离子辐照时，由FPGA为目标器件所有地址写入固定数据“55”，并进行实时回读，若读取的某个地址的数据与“55”不同，则认为器件发生单粒子翻转，错误数加1，通过串口发回错误地址、错误数据及错误总数。试验中选用Ge、Ti、Cl、Bi四种离子对器件进行辐照，所选重离子参数如表1所示，试验得到的单粒子翻转截面与仿真得到的单粒子翻转界面与LET之间的关系如图5所示。