《表1 试验用离子特性：重离子辐照1200 V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析》

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《重离子辐照1200 V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析》

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采用中国原子能科学研究院HI-13串列静电加速器上产生的208 MeV锗（Ge）离子进行辐照试验，Ge离子特性见表1。在离子束流辐照过程中，给SiC结势垒肖特基二极管施加静态反向偏压，持续监测其反向漏电流，如果反向漏电流超过设定的限定值（10μA）或注量达到106 cm-2，则停止束流辐照。辐照前后利用B1500半导体器件分析仪对其正向、反向IV特性以及CV特性进行测试。其中，CV测试频率为1 MHz。