《表1 重离子辐照实验所用离子信息》
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《8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理》
此次重离子辐照实验是在中国原子能科学研究院的HI-13串列静电加速器上完成。为了消除光窗玻璃对入射重离子吸收能量的影响，保证重离子能够射入器件的灵敏区，进而诱发单粒子效应，实验前去掉了光窗玻璃，重离子从CIS正面入射，重离子束斑的尺寸为30mm×30mm，可以覆盖CIS整个芯片表面。表1所示为实验所用的离子种类、入射角度、射程（半导体材料硅中射程）、线性能量转移（LET）值、注量率、总注量、实验所处环境等信息。
| 图表编号 | XD0062551600 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.05.10 |
| 作者 | 汪波、王立恒、刘伟鑫、孔泽斌、李豫东、李珍、王昆黍、祝伟明、宣明 |
| 绘制单位 | 中国航天科技集团有限公司第八研究院第八○八研究所元器件保证事业部、中国航天科技集团有限公司第八研究院第八○八研究所元器件保证事业部、中国航天科技集团有限公司第八研究院第八○八研究所元器件保证事业部、中国航天科技集团有限公司第八研究院第八○八研究所元器件保证事业部、中国科学院新疆理化技术研究所辐射效应实验室、中国航天科技集团有限公司第八研究院第八○八研究所元器件保证事业部、中国航天科技集团有限公司第八研究院第八○八研究所元器件保证事业部、中国航天科技集团有限公司第八研究院第八○八研究所元器件保证事业部、中国 |
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