《表3 锗离子辐照SiC JBSD试验结果》

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《重离子辐照1200 V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析》

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锗离子辐照试验结果见表3。锗离子辐照过程中，1#样品在300 V反向偏压条件下，漏电流随注量增加而增加。当注量达到1×106 cm-2时，停止辐照，此时漏电流在线监测漏电流为10μA。2#样品在400 V反向偏压条件下，漏电流随注量增加而增加。当在线监测漏电流达到10μA时，停止辐照，此时注量为9.81×104 cm-2。