《表2 CIS单粒子翻转实验数据》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

采用八角连通、边缘检测等图像处理方法来处理、分析实验过程中实时采集存储的图像，统计出重离子辐照诱发的单粒子翻转数。实验结果表明:当重离子LET值小于3.1MeV·cm2·mg-1时，器件没有发生单粒子翻转；当LET值为9.3MeV·cm2·mg-1、27Si离子辐照注量为1.3×106 ion/cm2时，CIS发生377次翻转。单粒子翻转截面σ表示单位注量下的单粒子翻转数，一般地，当粒子垂直进入芯片表面时，σ为单粒子翻转数的总注量比值。因此，在LET值为9.3MeV·cm2·mg-1的27Si重离子辐照下，单粒子翻转截面σ为2.9×10-4 cm2/device；表2所示为不同重离子辐照实验下CIS产生的单粒子翻转数和单粒子翻转截面，可以发现，当LET值大于9.3MeV·cm2·mg-1时，随着辐照累积注量的增加，CIS产生的单粒子翻转数逐渐增多；单粒子翻转截面σ随着重离子LET值的增大而逐渐增大。