《表1 北京与兰州单粒子实验选用粒子信息Tab.1 Ion information of Beijing and Lanzhou SEE experiment》

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《CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析》

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在北京和兰州进行单粒子实验时，分别取样5只触发器验证电路进行了单粒子翻转与单粒子闩锁实验，实验过程参照中华人民共和国航天行业标准《宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南》.利用HI-13串列加速器进行单粒子实验时，触发器验证电路时钟频率为10 MHz，电路供电电压为3.3V，采用Ge、Br、Ag和I4种粒子对5只样品电路进行单粒子效应实验，同时检测电路的单粒子效应翻转次数与板级工作电流；单粒子效应实验过程中5只电路均未发生单粒子翻转事件，板级电流也未发生变化，即没有发生单粒子闩锁效应.利用SFC+SSC回旋加速器TR5终端进行单粒子实验时，触发器验证电路时钟频率为10 MHz，电路供电电压为3.63V，采用Bi粒子对5只样品电路进行单粒子效应实验，同时检测电路的单粒子效应翻转次数与每只电路工作电流.单粒子效应实验过程中5只电路均发生单粒子翻转事件，单粒子翻转截面分布在1.5×107~4.0×107 cm2之间；实验过程中电路电流未发生变化，即没有发生单粒子闩锁效应.北京与兰州单粒子实验选用的粒子信息详见表1，所有粒子均采用垂直入射的方式；兰州单粒子翻转实验结果如图8所示.