《表1 Therspike程序模拟入射硅材料的不同LET值离子》

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《基于热峰模型的单粒子效应模拟研究》

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目前的器件都是以硅材料为基底材料，本模型认为离子入射器件激发出的自由电子即是入射硅材料激发出的自由电子。使用Therspike程序模拟不同能量的不同离子入射电子和晶格的初始温度为300 K的硅材料，离子的种类及能量值见表1[14]，得到R2max与LET如图4所示。由图4可见，R2max与LET呈现线性关系且与离子种类和能量无关，公式（9）表明收集电子数目N与R2max成正比，由此可以认为，离子入射后器件收集电子数目N仅与LET有关，与入射离子的能量和种类无关。这与Pickel等的假设符合较好。经过线性拟合，结合公式（9）得到电子和晶格的初始温度为300 K时入射离子的LET与该离子激发出的电荷的关系：