《表4 LET为3.0 MeV·cm2·mg-1的粒子不同入射角度时P1漏极和P2漏极电荷收集量表》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图11所示为LET值分别为3.0 MeV·cm2·mg-1、4.0 MeV·cm2·mg-1的粒子以不同角度入射P1漏极中心时的Q点电压变化图。表4是粒子LET值为3.0 MeV·cm2·mg-1时，不同粒子入射角度下P1、P2漏极的电荷收集量统计表。