《表2 200 nm和80 nm的器件间距下N2漏极电荷收集量对比表》

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《粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究》

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图6所示是器件间距分别为200 nm和80 nm的条件下相同LET值的粒子垂直入射主器件N1漏极后，从器件N2漏极所产生的瞬态电流对比图。表2为相同粒子LET值下，器件间距为80 nm和200 nm时N2漏极的电荷收集量对比表。