《表3 源漏电流对比 (L=50 nm和L=120 nm)》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《应变Si纳米NMOSFET单粒子效应》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

随着半导体工业的快速发展，器件尺寸不断缩减导致器件的单粒子效应越来越敏感。随着沟道长度的减小，寄生晶体管的基区变薄，导致寄生晶体管更容易开启。图4是在不同沟道长度下，漏极瞬态脉冲电流的变化。由图4（a）可知，漏极瞬态脉冲电流随着沟道长度的减小而增大。表3给出了栅长为50nm和120 nm源极和漏极的瞬态电流的大小比较。由图4（b）和表3可知，随着沟道长度的减小，寄生晶体管变得更容易开启，同时可得知双极放大效应更明显。