《表3 不同STI深度下N2漏极电荷收集量对比表》

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《粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究》

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表3是不同STI深度下N2漏极的电荷收集量对比表。可以发现，STI深度从0.31μm增大到0.46μm的过程中，N2漏极的电荷收集量逐渐减少，STI深度从0.46μm增大到0.61μm的过程中，N2漏极的电荷收集量逐渐增多。可知在STI深度为0.46μm时，N2漏极的电荷收集量最小值为12.59 f C，此时N1漏极入射粒子产生的载流子扩散到从器件漏极和阱接触的时间相同，N2漏极的电荷收集量最小，N2漏极受到主器件电荷共享效应的影响最弱。相比于65 nm[11]工艺时的抑制电荷共享最佳深度0.55μm和90 nm[13]工艺时的抑制电荷共享最佳深度0.50μm，28 nm工艺下的抑制电荷共享深度更小。对于28 nm工艺SRAM，STI深度增大时，可以有效减少相邻器件间的电荷共享。且STI深度为0.46μm时，相邻器件间电荷共享效应最弱。