《表1 不同离子入射位置处各端口收集电荷的分布Tab.1 Distribution of the collected charge at each terminal under different i

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《SiGe HBT单粒子瞬态TCAD仿真研究》

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综上所述，对于具有衬底区的Si Ge HBT（存在npnp结构），从电荷收集角度来看，发射极与基极收集电荷可忽略不计，重离子辐射诱导的载流子基本上被集电极与衬底收集。LOCOS内的晶体管区域为基极、集电极与衬底收集电荷的敏感区域，其中集电极和衬底之间的寄生CS结收集了大部分感生电荷。对于无衬底区的本征Si Ge HBT，基区和发射区的瞬态电流随离子入射位置而改变，集电区是无衬底区的本征Si Ge HBT的单粒子瞬态敏感区域。因此对于Si Ge HBT器件，在后续寻求抗辐射加固方法时应从如何降低集电区的收集电荷着手。