《表1 不同幅值的栅极脉冲信号与对应漏极电流的变化（VGS=5.5V、VDS=4V)》

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《基于电学法的功率MOSFET器件芯片温升测量方法研究》

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选取2种不同厂家的功率MOSFET器件进行测量，包括国内华芯微半导体公司的HRM7433D和美国IR公司的IRF260N，这2款器件性能参数差不多。上述2款器件在栅极电压（VG)S保持5.5V、漏极电压（VD)S保持4V不变时，栅极脉冲电压信号（脉宽为20μs) VImpulse幅值改变对漏极电流（ID)S敏感度产生影响，测量结果如表1所示。