《表1 常见的存储器件的参数》

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《基于混合内存的存储系统优化方案》

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常见的NVM器件有PCM、MRAM、FeRAM、RRAM等，其参数如表1所示[11]。该类器件具有静态功耗低、读写速度与DRAM相近而远高于NAND flash、存储密度大、非易失性、可按字节访问等优势。因此新型NVM存储技术被认为是未来可以替代或部分替代DRAM作为系统内存，解决传统DRAM内存功耗高、容量难以提升等问题的重要手段。但同时NVM也具有写功耗高、写延迟大的不足。因此在利用NVM较低的静态功耗等优势的同时避免NVM较高的写延迟和写功耗等不足，已成为目前学术界的研究热点。