《表2 主要元器件规格参数》

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《高重频纳秒脉冲放电点火系统设计》


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脉冲电源通过单片机执行控制逻辑,采用半桥驱动器驱动IGBT控制脉冲形成,主要元器件的型号及参数如表2所示。S1、S2需要承受几百伏的电压以及数百安的瞬时电流,同时工作频率较高,尤其S2导通损耗对升压过程能量传递效率影响很大,IGBT是较好的选择。为了兼顾饱和前的高耦合系数与饱和后的低感抗,PT磁芯宜选用高矩形比的材料。高压电容C2、C3工作频率很高,使用高频特性较好的瓷片电容利于降低损耗。搭建完成的脉冲成型电路如图8所示,其体积在10 cm×10 cm×4 cm左右。