《表2 不同金属/Gr复合透明电极的GaN-LED的开启电压、输出功率和外量子效率》
比较了四种金属/Gr复合透明电极的GaN-LED的开启电压(Von)、输出功率(Pout)、外量子效率,结果如表2所示。可见,Ni/Gr-LED的开启电压最低(比Gr-LED低2.19V)、在100mA下光输出功率为48.20mW(四种中最高),但是Pt/Gr-LED的外量子效率下降最低(51.7%)。即,从LED芯片的开启电压、光输出功率和外量子效率分别进行判断,有各自性能指标对应的优化厚度组合,没有一种金属与Gr的复合可以满足三个指标。换句话说,以这三个指标作为判据,难以得出最佳的复合电极,为此,又研究了LED的热学性能。
图表编号 | XD0051417400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.08.01 |
作者 | 张淑芳、钱明灿、罗海军、龙兴明、闫泉喜、郭扬、钟将 |
绘制单位 | 重庆大学计算机学院、重庆电子工程职业学院、重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆重点实验室、重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆重点实验室、重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆重点实验室、重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆重点实验室、重庆长安汽车股份有限公司、重庆大学计算机学院 |
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