《表4 1.5 V PMOSFET器件的设计结果》

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《基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计》

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对于1.5 V PMOSFET器件，通过DOE 46个实验条件得到了最佳条件（第23号实验片）如表4所示，在省掉了一层P型源漏端离子注入的同时，保持原有器件的性能。通过增加一道30 keV的PLDD注入并将原来的轻掺杂区注入能量降低3 keV，浓度降低1×1014个/cm3，Pocket离子注入角度调整到40°，同时增加VT离子注入浓度到2×1013个/cm3来降低漏端与衬底漏电流，使得PMOSFET关断条件下漏电流（IOFF）从1.137p A/μm降低到0.93 p A/μm，并且在省掉了一道P型源漏离子注入制程之后，饱和电流（IDSAT）和源漏和衬底的PN结反偏漏电流（JLEAK）也达到实验设计要求。