《表3 1.5 V NMOSFET器件的设计结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

对于1.5 V NMOSFET器件，通过DOE 34个实验条件得到了最佳条件（第17号实验片）如表3所示，结果把NLDD注入能量从4 keV增加到11 keV，浓度升高1×1013个/cm3；将Pocket离子注入角度调整到40°，浓度降低0.2×1013个/cm3，并配合VT离子注入浓度增加3×1012个/cm3就可以有效地使1.5 V NMOSFET器件关断状态下总漏电流（IOFF）从3.923 p A/μm降低到0.77 p A/μm，并且饱和电流（IDSAT）也达到实验设计要求。