《表5 DOE设计预测最佳条件的验证》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

根据DOE预测最佳条件进行重复验证，即根据之前DOE预测到的最佳结果重新流片，将最终结果汇总到表5，比较“DOE预测”列和“验证结果”列的数据就可以发现DOE实验设计的预测非常准确，“验证结果”列所有的参数和“目标”列比较都非常接近，也就说明相关的验证数据符合客户低功耗芯片的设计需要，说明了本次DOE实验设计非常成功。