《表2 正常器件和翻新器件的表面粗糙度单位：μm》

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《基于光学干涉法的翻新电子元器件鉴别方法》

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对14只样品器件上下表面的Ra和Rq值进行测试和分析，测试结果如表2所示。表中Ra-T，Ra-B分别为器件上表面和下表面的粗糙度算术平均值，Rq-T，Rq-B分别为器件上表面和下表面的粗糙度均方根植。从表中可以看出，7只正常器件的上表面粗糙度算术平均值和均方根植与下表面差异均较小，其中4只器件上表面粗糙度比下表面小，3只器件上表面粗糙度比下表面大，该差异主要是由测试误差、仪器精度等因素引起的；7只翻新器件的上表面粗糙度算术平均值和均方根植与下表面差异相对较大，其中6只器件的上表面粗糙度比下表面大，1只器件的上表面粗糙度比下表面小。这说明，器件经过打磨处理后，上表面粗糙度既可能比原来小，也可能比原来大，具体情况取决于翻新打磨工艺的水平，但经过打磨的元器件很难保持原有的粗糙度。