《表4 输出单位电平所需器件数及正常工作承受电压》

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《具有直流故障阻断能力的MMC不对称型全桥子模块拓扑》

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注:DCSM和DCDSM通过两个串联电容输出电压UC

子模块的投资成本取决于子模块中各类功率开关器件的额定耐压水平和器件用量。各种具有直流故障阻断能力的子模块拓扑中，IGBT、二极管单体承受的反向电压通常为单位电容电压。本文中默认各种拓扑中所有功率器件额定电压都相同，且以子模块电容额定电压为基准，此时IGBT、二极管的型号均一致，则不同子模块成本高低主要体现在器件用量上。表4列出了各种子模块拓扑方案在输出单位电平所需器件数量及器件的正常工作承受电压。从表4可以看出，FBSM和SBSM投资成本高于其他子模块。若半压器件成本是全压器件成本的1/2，则DCSM、DCDSM、EHSM、CDSM、AS-FBSM成本相同，只有Hybrid SM略低；若半压器件成本是全压器件成本的1/3，则DCSM、DCDSM的成本最低。因此，除了FBSM和SBSM，其余子模块的成本上大体相当。