《表1 高压SOI pLDMOS器件参数》

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《高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究》

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本文中采用P型漂移区SOI LDMOS器件，P管的器件结构如图1所示，表1所示为P管器件结构中的各个参数。在对于器件的优化中，针对器件的阱区掺杂浓度以及调沟注入剂量进行了仿真优化，确保器件有合适的阈值电压，高压SOI p LDMOS器件的阈值电压为-2.4 V（在确定器件的阈值电压时，采用线性电流外推法计算最大跨导与横轴切点的方法来确定阈值电压）；针对器件的漂移区掺杂浓度以及源极场板和栅极场板的长度进行了仿真优化，确保其表面电场分布合理，有着合适的击穿电压，高压SOI p LDMOS器件的击穿电压为-129 V。