《表2 高压SOI pLDMOS不同状态下外加偏压》

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《高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究》

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辐射时，器件的偏置状态为Off-state与GND-state，Off-state为考量器件耐压抗辐射能力的最劣偏置，在此状态下着重观察器件的耐压退化情况，表2所示为高压SOI p LDMOS器件在辐射时不同状态下外加电压的情况。