《表1 SOI CMOS与体硅CMOS集成电路的主要性能参数对比》

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《传导电磁干扰对绝缘衬底上硅工艺器件的影响研究》

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SOI技术是一种全介质隔离技术，器件与衬底之间由隐埋氧化层进行隔离，隐埋氧化层的存在不仅消除了体硅器件中的闩锁效应，而且具有较好的抗软失效能力，抗干扰能力得到加强，典型的SOI CMOS结构如图1所示。与体硅技术相比还有诸多优势，如表1所示。