《表1 汽车级微控制器内的28nm FD-SOI CMOS嵌入式PCM的主要性能，并与现有技术的对比》

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《采用FD-SOI技术的嵌入式相变存储器满足汽车级严苛要求》

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表1给出了PCM存储器的主要特性以及与当前最先进技术的比较情况。PCM的存储单元尺寸较小，读写性能均衡，具有与方案2和3相同的单个存储单元修改功能，但方案2和3不能用于汽车系统。方案1虽然读写速度快，但在数据修改方面效率较低。本文讨论了市场首个在后工序实现嵌入式非易失性存储器的汽车微控制器，该嵌入式存储器容量是6MB，采用28nm FDSOI制造技术，工作温度范围-40°C～165°C。该产品是完全模拟传统e-NVM闪存母产品的相同功能，能够满足主要技术规格的要求。该解决方案证明，在最恶劣的汽车环境中，PCM至少可以替代闪存，解决高电压需求的挑战，促进嵌入式技术缩小尺寸。