《表1 CMOS管参数:基于CDCTA的双模式等幅正交振荡器》
为了验证上述理论分析的正确性,对提出的电压/电流模式正交振荡器进行了PSPICE仿真。仿真工艺模型采用TSMC 0.18μm CMOS工艺。CMOS管的W/L设置列于表1。
图表编号 | XD0037904700 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.02.20 |
作者 | 王春霞、刘云朋、郭亚涛 |
绘制单位 | 焦作大学机电工程学院、焦作大学信息工程学院、国网河南省电力公司温县供电公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
为了验证上述理论分析的正确性,对提出的电压/电流模式正交振荡器进行了PSPICE仿真。仿真工艺模型采用TSMC 0.18μm CMOS工艺。CMOS管的W/L设置列于表1。
图表编号 | XD0037904700 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.02.20 |
作者 | 王春霞、刘云朋、郭亚涛 |
绘制单位 | 焦作大学机电工程学院、焦作大学信息工程学院、国网河南省电力公司温县供电公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |