《表1 高频CMOS太赫兹探测器之间的性能比较》

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《基于65 nm标准CMOS工艺的3.0 THz探测器》

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图10给出了探测器的电压响应率（Rv）和噪声等效功率（NEP）随栅极偏压的变化关系。当栅极偏置电压为0.23 V时，峰值响应率为526 V/W。当栅极偏置电压为0.24 V时，最小NEP为73 p W/Hz1/2。表1为我们的探测器与已报道高频CMOS太赫兹探测器之间的性能比较。从表中可以看出，我们的探测器实现了相对较高的响应率和较低的噪声等效功率。