《表1 太赫兹微结构各谐振峰数据》

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《基于铁磁薄膜可调谐太赫兹微结构的研究》

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其中：l和w分别为金属线的长度和宽度，μ为有效的磁导率。因此，由磁化强度变化引起的磁导率变化导致了有效电感值L的变化，最终使得太赫兹微结构谐振频率发生变化。实验和模拟结果统计在表1中，调控磁化强度M方向，谐振频率a峰位移动了Δfr=2GHz，谐振频率b峰位移动了Δfr=9 GHz，电磁诱导透射峰c峰位移动了Δfr=45 GHz，谐振频率d峰位移动了Δfr=63 GHz，四个谐振频率调谐率约为1.1%～5.7%。不同谐振峰来自于不同谐振模式，d峰位谐振来源于三角形边的电磁耦合[7]，磁化方向变化对边长有效磁导率的改变较为明显，因此在四个峰位中由边长引起的谐振d峰位Δfr变化最为明显。由此，外磁场调控铁磁薄膜的磁化强度方向能有效调控太赫兹微结构的谐振频率。