《表3 诊断效能：基于GaN器件的模块化多电平包络跟踪电源》

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《基于GaN器件的模块化多电平包络跟踪电源》

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基于所设计的Ga N HBCC，本文设计的五电平包络跟踪电源样机如图6所示，电路参数如表3所示。4阶滤波器采用截止频率为700 k Hz、匹配负载为5Ω的巴特沃斯滤波器。在绕制实际滤波器时，由于不同工作条件下的电感值与电容值可能会发生变化，必须考虑电感的磁性材料和电容器的类型对滤波结果的影响。对于电感来说，通常需要电感值在不同的频率和电流下保持稳定。本文利用高频特性好（10 MHz下磁导率保持不变）、饱和磁通密度高（饱和磁场强度大于24 000 A/m）和直流偏磁能力强的羰基铁粉芯材料来绕制电感。滤波电容则选用高频性能好、不同电压下容值稳定和杂散电感小的贴片薄膜电容器。