《表1 3种电阻率测试方法的优缺点比较》

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《硅外延电阻率测试稳定性研究》

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硅外延电阻率是外延的重要特征参数之一，其参数控制的准确性与稳定性直接影响着生产运行的稳定。目前国内外主要有3种测试方法：（1）四探针测试法；（2)C-V电容电压法；（3)SRP扩展电阻测试法。如表1所示，通过对比3种测量方法的优缺点，分析得出动态薄膜技术应用于汞探针C-V电容电压法测试前处理，在实现提高电阻率参数管控稳定性的基础下，同时回收利用监控片，实现降本增效[1-3]。