《表3 器件抗总剂量辐射能力分类》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《航天型号元器件选用策略》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

空间辐射环境主要有地球辐射带各种带电粒子、太阳射线、宇宙射线等。卫星在轨期间与空间环境中的带电粒子相互作用将产生各种效应，其中主要的效应为总剂量（TID）效应、单粒子效应（SEE）、充放电效应（ESD）等。半导体分立器件、集成电路等半导体器件大多数都是辐射敏感器件，空间复杂的环境对这类辐射敏感器件将会产生不同程度的性能影响，严重时会造成器件失效。虽然空间辐射环境的电离辐射总剂量率很低，不同轨道的剂量率范围一般在0.0001～0.01 rad（Si）/s之间，但它是一个累积效应，当剂量累积到一定值时将会引起元器件的电学性能发生变化，严重时将导致器件完全失效，使电子设备不能正常工作。我国目前运行的卫星，在其有效寿命里，取决于轨道参数，卫星内部将会受到总102～104 Gy（Si）的辐射，航天器及核反应堆的某些电子器件可能受到总剂量超过105 Gy（Si）的辐射[6]。航天型号在轨运行时间一般可分为长期、中期、短期三类，一般情况下要求器件具有抗总剂量辐射的能力如表3所示，如经过元器件抗辐射性能验证试验，证明设计使用的器件存在着抗辐射总剂量性能较低的问题，则需对其进行局部屏蔽加固措施。