《表2 Al N单晶中元素含量及相对原子比》

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《SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理》

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从图6可以看出，AlN单晶抛光片S1表面的C1s含量很高。除测试校正对样品溅射一层碳外，C 1s化学键的出现很大程度上与上述提到的SiC籽晶、TaC坩埚和石墨基毡等含碳生长环境有关。O含量与切割片相比略微提高。表2为Al N单晶中元素含量及相对原子比。从表2可知，AlN单晶抛光片表面的N/Al原子比约为0.64/1，O/Al原子比约为0.68/1，AlN单晶表面的氧化程度很高。