《表1 氮化镓晶体生长方法对比》

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《氮化镓单晶生长研究进展》

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目前生长GaN体单晶衬底的主要方法有氢化物气相外延法（HVPE）、氨热法、以及助熔剂法（Na Flux），上述三种方法对应的生长条件、生长速率、优势和劣势如表1所示。HVPE方法生长速率快、易得到大尺寸晶体，是目前商业上提供氮化镓单晶衬底的主要方法；其缺点是成本高、晶体位错密度高、曲率半径小、以及会造成环境污染。氨热法生长技术与水热生长技术类似，结晶质量高，可以在多个籽晶上生长，易规模化生产，可以显著降低成本；其缺点是生长压力较高，生长速率低。助熔剂法生长条件相对温和，对生长装备要求低，可以生长出大尺寸的氮化镓单晶；其缺点是易于自发成核形成多晶，难以生长出较厚的氮化镓晶体。