《表1 不同籽晶生长的晶体合格率统计》

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《籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究》

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不同籽晶对晶体初期的成核有重要影响[7]。晶体成核阶段的表面形貌在一定程度上能反映出晶体生长机制和晶体缺陷分布的丰富信息，成核质量的好坏在单晶生长过程中起到至关重要的作用[8]。本文采用不同的籽晶各生长10炉晶体进行合格率的统计。从表1看出，4°籽晶生长的晶体合格率最高，说明越大的籽晶越容易抑制缺陷的产生。图1（a）为用显微镜观察1°籽晶生长的表面台阶，图1（b）为4°籽晶生长的表面台阶，4°籽晶的台阶流比1°籽晶密集，应该是抑制缺陷产生的主要原因。