《表1 实验原料配比：In:Yb:Nd:LiNbO_3晶体的生长和光谱性能》

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《In:Yb:Nd:LiNbO_3晶体的生长和光谱性能》

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实验所需原料为纯度均为99.99%的Nb2O5、Li2CO3、Nd2O3、In2O3、Yb2O3，[Li]/[Nb]摩尔比为0.946。采用提拉法沿c轴方向生长不同In2O3掺量（摩尔分数为0.5%、1.0%、2.0%）的In:Yb:Nd:LN晶体，样品分别命名为S1、S2、S3，具体实验原料配比如表1所示。晶体生长过程中具体工艺参数为:轴向温度梯度为40～50℃/cm，晶体提拉速率1～1.5 mm/h，晶体旋转速率20～30 r/min。