《表3 原子氧实验前后氮化硼膜的晶体结构信息Table 3 Crystal information of BN films before and after AO exposure》

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《羟基化处理对氮化硼膜耐原子氧性能的影响》

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式中:k为谢乐常数0.89；γ为X射线波长0.154056nm；B为半高宽，rad；θ为布拉格角，rad。实验后，两种薄膜中BN的（002）晶面衍射角减小，半高宽降低，晶面间距略微增大，说明在原子氧的作用下BN晶格产生了畸变，晶粒尺寸明显增大。原子氧与BN的反应如图11所示意，概括如下:反应始于片层边缘的B原子，AO通过置换N原子形成晶格空位，并进一步与B原子结合，N原子转变为气态挥发分NOx从薄膜中逸出，凝聚态的B2O3则留在试样表面，O原子因此进入BN的晶体结构中引起晶格畸变。由于hBN-OH/NFC膜以hBN-OH为制备原料，BN晶体结构中部分不稳定的B原子已被羟基化，以B—OH形式存在，即O原子通过BN的羟基化处理部分地进入了BN晶格中，去除了晶格中的缺陷位点，形成了相对稳定的晶体结构，因此实验前后hBN-OH/NFC膜的（002）晶面间距和晶粒尺寸均大于hBN/NFC膜。