《表1 氮化镓与硅MOSFET栅极特性对比》

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《源极引线在开关过程中对栅源电压的影响分析》

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以650 V/7.5 A的GS65502B为例，输入电容65p F，米勒电容0.5 p F，栅极电荷Qg1.5n C、Qgd0.4n C。与GS65502B的额定电压、额定电流接近的Coolmos和第三代硅MOSFET的栅极特性如表1。