《表2 压接式Si C MOSFET半桥堆叠各寄生电感的定义及对开关特性的影响》
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图4所示为多芯片并联的压接式Si C MOSFET半桥堆叠结构中2个并联芯片的寄生电感。各寄生电感的定义及对器件开关特性的影响如表2所示。
| 图表编号 | XD00184661300 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.11.30 |
| 作者 | 朱楠、陈敏、徐德鸿 |
| 绘制单位 | 浙江大学电气工程学院、浙江大学电气工程学院、浙江大学电气工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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