《表1 压接式IGBT各层材料属性》

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《柔直换流阀用压接式IGBT器件物理场建模及内部压强分析》

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建立的3.3 k V/50 A压接式IGBT多物理场仿真模型如图3所示，为了方便叙述压接式IGBT力学分析，下面将图3中各层材料的相接触部位分为5层:第1层为集电极铜板与集电极钼层；第2层为集电极钼层与IGBT芯片；第3层为IGBT芯片与发射极钼层；第4层为发射极钼层与银垫片；第5层为银垫片与铜柱。其中内部各层材料属性、电导率、热膨胀系数如表1所示[10，16]。