《表3 外加压力对压接式IGBT内部性能的影响》
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《柔直换流阀用压接式IGBT器件物理场建模及内部压强分析》
保持环境温度20℃、额定导通电流50 A不变，设置外加压力从1 000 N到2 000 N变化，对器件内部性能变化进行仿真，薄弱层的最大压强、芯片最高结温和器件导通压降的变化趋势如表3所示。
| 图表编号 | XD0030197800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.01.10 |
| 作者 | 潘艳、李金元、李尧圣、王鹏、李辉、姚然、邓吉利、龙海洋、赖伟 |
| 绘制单位 | 全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室、重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室、重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室、重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室、重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室、重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室 |
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